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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W

Menge:

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-IMZ120R220M1HXKSA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMZ120R220M1HXKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 9,5A
Widerstand im Leitungszustand: 416mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 37,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Technologie: SiC;CoolSiC™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -7...23V
Drainstrom im Impuls: 21A

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Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a

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