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Modul; einzelner Transistor; 600V; 40A; SOT227B; schraubbar; 625W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 600V; 40A; SOT227B; schraubbar; 625W
Modul; einzelner Transistor; 600V; 40A; SOT227B; schraubbar; 625W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFN48N60P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN48N60P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 40A
Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω
Verlustleistung: 625W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 150nC
Technologie: HiPerFET™;PolarHV™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 110A
Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet
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