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Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXGA42N30C3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGA42N30C3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
ixys igbt
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 42A
Kollektorstrom im Impuls: 84A
Anschaltzeit: 21ns
Ausschaltzeit: 113ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 223W
Gate-Ladung: 76nC
Technologie: GenX3™
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