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Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXGH90N60B3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGH90N60B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
ixys igbt
igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 75A
Kollektorstrom im Impuls: 180A
Anschaltzeit: 29ns
Ausschaltzeit: 0,22µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 660W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 172nC
Technologie: GenX3™
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