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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B


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Produktinformationen
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXGN50N120C3H1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGN50N120C3H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 50A
Kollektorstrom im Impuls: 240A
Verlustleistung: 460W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: GenX3™;PT
Die Konditionen im Überblick1
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