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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO263
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTA15P15T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA15P15T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 150v
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Bereitschaftszeit: 116ns
Drain-Source Spannung: -150V
Drainstrom: -15A
Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 48nC
Technologie: TrenchP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±15V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet
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