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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTQ120N20P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTQ120N20P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 200v
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Bereitschaftszeit: 180ns
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 714W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 152nC
Technologie: PolarHT™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet
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