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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B


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Produktinformationen
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXXN110N65B4H1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXXN110N65B4H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 650V
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 110A
Kollektorstrom im Impuls: 650A
Verlustleistung: 750W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: XPT™;GenX4™
Die Konditionen im Überblick1
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