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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXYT30N65C3H1HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYT30N65C3H1HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
ixys igbt
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268HV
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 30A
Kollektorstrom im Impuls: 118A
Anschaltzeit: 59ns
Ausschaltzeit: 0,12µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 270W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 44nC
Technologie: Planar;Sonic FRD™;GenX3™;XPT™
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