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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MG10P12P2-YAN
Hersteller:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Herst.-Nr.:
     MG10P12P2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Gehäuse: P2
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 20A
Anwendung: Motoren;Wechselrichter
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;IGBT Halbbrücke x3;NTC Thermistor;boost chopper
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