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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MG12300D-BN2MM
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MG12300D-BN2MM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: Y3-DCB
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 300A
Kollektorstrom im Impuls: 600A
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Trench;Field Stop
Topologie: IGBT Halbbrücke
Die Konditionen im Überblick1
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