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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; 630W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MIEB101H1200EH
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MIEB101H1200EH
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: E3-Pack
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 128A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Anwendung: Motoren;Photovoltaik
Verlustleistung: 630W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Sonic FRD™;SPT+
Topologie: Brücke H
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.