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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MMIX1G120N120A3V1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1G120N120A3V1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
ixys igbt
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 105A
Kollektorstrom im Impuls: 700A
Anschaltzeit: 105ns
Ausschaltzeit: 1365ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 400W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 420nC
Technologie: BiMOSFET™;GenX3™;PT
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