Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  >  > Artikel

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MMIX1G320N60B3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1G320N60B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
ixys igbt
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 180A
Kollektorstrom im Impuls: 1kA
Anschaltzeit: 107ns
Ausschaltzeit: 595ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 1kW
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 585nC
Technologie: BiMOSFET™;GenX3™;PT
Die Konditionen im Überblick1
Lieferzeit
Lagerstand
Preis
ab € 39,96*
  
Preis gilt ab 3.000 Stück
Konditionen selbst auswählen
Artikel empfehlenArtikel merken
Staffelpreise
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Stück
€ 69,45*
€ 83,34
pro Stück
ab 2 Stück
€ 67,08*
€ 80,50
pro Stück
ab 3 Stück
€ 59,27*
€ 71,12
pro Stück
ab 5 Stück
€ 58,16*
€ 69,79
pro Stück
ab 10 Stück
€ 50,73*
€ 60,88
pro Stück
ab 20 Stück
€ 45,41*
€ 54,49
pro Stück
ab 3000 Stück
€ 39,96*
€ 47,95
pro Stück
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.