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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MMIX1X340N65B4
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1X340N65B4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
ixys igbt
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 295A
Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA
Anschaltzeit: 119ns
Ausschaltzeit: 346ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 1,2kW
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 553nC
Technologie: BiMOSFET™;GenX3™;XPT™
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