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Transistor: IGBT x4; 2,5kV; 4A; 100W; SMPD; Topologie: Brücke H


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MMIX4G20N250
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX4G20N250
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
ixys igbt
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 4A
Kollektorstrom im Impuls: 105A
Anschaltzeit: 217ns
Ausschaltzeit: 1,066µs
Transistor-Typ: IGBT x4
Verlustleistung: 100W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 53nC
Topologie: Brücke H
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.