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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0,9A; 0,5W; SuperSOT-3

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0,9A; 0,5W; SuperSOT-3

Artikel-Nr.:
8WUGW-NDS352AP

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NDS352AP

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-3
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -0,9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,7Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gate-Ladung: 3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23

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