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Transistor: PNP; bipolar; Germanium; 32V; 1A; 650mW; TO1


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Produktinformationen
Transistor: PNP; bipolar; Germanium; 32V; 1A; 650mW; TO1
Transistor: PNP; bipolar; Germanium; 32V; 1A; 650mW; TO1
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE102A
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE102A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor pnp
schalttransistor
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO1
Kollektor-Emitter-Spannung: 32V
Transistorverstärkung: 63...295
Kollektor-Emitter-Strom: 1A
Transistor-Typ: PNP
Verlustleistung: 0,65W
Polarisierung: bipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Transistor-Art: Germanium
Weitere Suchbegriffe: transistor nte
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