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Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE221
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE221
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Schalttransistor
Transistor
transistor nte
schalttransistor
Hersteller: NTE Electronics
Gehäuse: TO72
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 18mA
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,4W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: THT
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate;dual gate
Transistor-Art: RF
Kanal-Art: schwach
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