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Transistor: N-JFET; unipolar; 30mA; 1,8W; TO18; Igt: 50mA


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-JFET; unipolar; 30mA; 1,8W; TO18; Igt: 50mA
Transistor: N-JFET; unipolar; 30mA; 1,8W; TO18; Igt: 50mA
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE2910
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE2910
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
jfet
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO18
Gatestrom: 50mA
Drainstrom: 30mA
Transistor-Typ: N-JFET
Verlustleistung: 1,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Gate-Source Spannung: -40V
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