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Transistor: IGBT; 600V; 25A; 150W; TO3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE3311
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE3311
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 25A
Kollektorstrom im Impuls: 50A
Anschaltzeit: 0,4µs
Ausschaltzeit: 0,5µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 150W
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