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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; -2,3A; Idm: -13A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTHD3101FT1G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTHD3101FT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: ChipFET
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: -2,3A
Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 2,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 7,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -13A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20v
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