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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 68A; 56W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN069-100YS.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN069-100YS,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet 100v
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 17A
Widerstand im Leitungszustand: 0,149Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 56W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 14nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 68A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot669
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