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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 285A; Idm: 1614A

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-PSMN0R9-25YLDX

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
PSMN0R9-25YLDX

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor

Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 285A
Widerstand im Leitungszustand: 2,04mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 238W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 89,8nC
Technologie: NextPowerS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1614A

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