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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W

Artikel-Nr.:
8WUGW-PSMN1R0-30YLDX

Hersteller:
Nexperia

Herst.-Nr.:
PSMN1R0-30YLDX

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet 100a

Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 255A
Widerstand im Leitungszustand: 2,15mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 238W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 121,35nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: smd transistor

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