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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMNR60-25YLHX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMNR60-25YLHX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet sot669
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 300A
Widerstand im Leitungszustand: 1,82mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 268W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 147nC
Technologie: NextPowerS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1758A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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