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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,5A; Idm: -6A

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-QS6U22TR

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
QS6U22TR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSMT6
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -1,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,43Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: -6A

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet

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