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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -30V; -1A; Idm: -2A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-QS6U24TR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     QS6U24TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSMT6
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 1,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -2A
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet
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