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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 136W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-RGS80TS65DHRC11
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGS80TS65DHRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 40A
Kollektorstrom im Impuls: 120A
Anschaltzeit: 62ns
Ausschaltzeit: 291ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 136W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 48nC
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