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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2,8W; SOP8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SH8KA2GZETB
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SH8KA2GZETB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet 30v
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SOP8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 2,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 16A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, rohm mosfet
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