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IC: driver; Steuerung für Gates; DIP6; 4A; Ch: 1; UBtrieb: 6,5÷30V


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Produktinformationen
IC: driver; Steuerung für Gates; DIP6; 4A; Ch: 1; UBtrieb: 6,5÷30V
IC: driver; Steuerung für Gates; DIP6; 4A; Ch: 1; UBtrieb: 6,5÷30V
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI8261BAD-C-IS
Hersteller:
     Silicon Laboratories
Herst.-Nr.:
     SI8261BAD-C-IS
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Analoge Treiber ICs
Leistungs-Treiber
Hersteller: SILICON LABS
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: DIP6
Betriebsspannung: 6,5...30V
Ausgangsstrom: 4A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 1
Ausgangs-Art: Open Drain
Isolationsspannung: 5kV
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung;LED diode emulator
Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates
Weitere Suchbegriffe: Treiber-IC, mosfet
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