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Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A


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STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STB100N10F7
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB100N10F7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
stm mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 70A
Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 61nC
Technologie: STripFET™ F7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 320A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 80a
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