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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15,8A; Idm: 78A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15,8A; Idm: 78A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15,8A; Idm: 78A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STF33N60M6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STF33N60M6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 600v
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 15,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 33,4nC
Technologie: MDmesh™ M6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 78A
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet
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