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Transistor: IGBT; 650V; 4A; 23W; TO220FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGF4M65DF2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGF4M65DF2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 4A
Kollektorstrom im Impuls: 16A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 23W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 15,2nC
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