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Transistor: IGBT; 650V; 60A; 420W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGW60H65DRF
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGW60H65DRF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 60A
Kollektorstrom im Impuls: 240A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 420W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 217nC
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