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Transistor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGWT20IH125DF
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWT20IH125DF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,25kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 20A
Kollektorstrom im Impuls: 80A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 259W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 69nC
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