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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W


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STMicroelectronics MDmesh STP10NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP10NM60N
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP10NM60N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,55Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 70W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 19nC
Technologie: MDmesh™ ||
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 32A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a
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