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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6,3A; Idm: 40A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP11N60DM2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP11N60DM2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 600v
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 6,3A
Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 16,5nC
Technologie: MDmesh™ DM2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 40A
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet
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