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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP18N65M2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP18N65M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,33Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 20nC
Technologie: MDmesh™ M2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 48A
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