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Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9,45A; 90W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9,45A; 90W
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9,45A; 90W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP19NF20
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP19NF20
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 9,45A
Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 90W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: MESH OVERLAY™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet
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