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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP33N60M2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP33N60M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 16A
Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 45,5nC
Technologie: MDmesh™ M2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 104A
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