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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W

Artikel-Nr.:
8WUGW-STP7N80K5

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP7N80K5

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: SuperMESH5™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V

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