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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STU4N52K3
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STU4N52K3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: IPAK
Drain-Source Spannung: 525V
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 2,6Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 45W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: SuperMESH3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Die Konditionen im Überblick1
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