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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A


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STMicroelectronics MDmesh DM2 STW28N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 190 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW28N60DM2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW28N60DM2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 14A
Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 170W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: MDmesh™ DM2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 84A
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