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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2-EP; unipolar; 600V; 22A; 250W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW42N60M2-EP
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW42N60M2-EP
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 600v
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 22A
Widerstand im Leitungszustand: 76mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: MDmesh™ M2-EP
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet
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