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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247

Artikel-Nr.:
8WUGW-STW56N60DM2

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STW56N60DM2

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 31A
Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 360W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: MDmesh™ DM2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V

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Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a

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