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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW56N65DM2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW56N65DM2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 58mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 360W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: MDmesh™ DM2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 650v
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