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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW6N95K5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW6N95K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 950V
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 90W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 13nC
Technologie: MDmesh™ K5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 24A
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