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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50,5A; 450W; TO247


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50,5A; 450W; TO247
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50,5A; 450W; TO247
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STW88N65M5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW88N65M5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 50,5A
Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 450W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: MDmesh™ V
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
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