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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 23A; Idm: 120A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STWA32N65DM6AG
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STWA32N65DM6AG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 97mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 320W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 52,6nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 120A
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